Número de Producto del Fabricante:
TSM80N1R2CI C0G
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM80N1R2CI C0G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 5.5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Inventario:
12897909
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ENVIAR
TSM80N1R2CI C0G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
19.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
685 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
ITO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Número de producto base
TSM80
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
TSM80N1R2CI C0G-DG
TSM80N1R2CIC0G
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TSM80N1R2CI
FABRICANTE
Taiwan Semiconductor Corporation
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
TSM80N1R2CI-DG
PRECIO UNITARIO
2.88
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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